
DDR4
Non-ECC 无缓冲内存
DDR4 极宽温 SODIMM
特点
- 小型双列直插式内存模组
- 通过全面测试,具最佳化稳定性和效能
- 采用原厂 IC,满足严格业界标准
- 对抗严苛环境的抗硫化保护机制
- JEDEC 标准 1.2V(1.26V ~ 1.14V)电压
- 工作环境温度:-40°C ~ 125°C (Tc)
- 符合 RoHS 标准
- 通过 CE / FCC 认证
DDR4 极宽温 SODIMM 提供紧凑设计及业界最快的 3200MT/s 记忆体速度,是车载系统、安全监控、自动化及嵌入式应用的首选。模组符合所有 JEDEC 相关标准,可在 -40°C 至 125°C (Tc)的温度范围正常运作,并提供 16GB 和 32GB 等容量,速度亦包含 2133MT/s、2400MT/s、2666MT/s 和 2933MT/s 等选项。
面向严苛环境的先进技术
宜鼎凭借技术专长提供全面技术升级,满足极端环境的需求:
- 超高温支持: -40°C ~ 125°C
突破散热瓶颈
- 45µ” 金手指
提高耐用性和使用寿命

采用抗硫化防护镀层的模块保护技术
硫元素在许多行业中普遍存在。当 DRAM 芯片中的银合金接触到含硫气体时,会引发腐蚀反应。这种硫化作用会导致导电性下降,并可能快速引发产品失效。为解决此问题,宜鼎在易损部件表面增设防护镀层,以保护银合金免受硫化腐蚀。

通过第三方测试证明可靠性
确保元器件的耐用性和可靠性是应对严苛环境需求的关键。我们的解决方案通过第三方严格测试,遵循严苛行业标准。这些测试验证了产品在极端条件下的稳固性,确保产品在各种应用场景下均具备可靠的性能表现。
弯曲测试 | 挠度1.2 毫米,EIAJ-4702 标准 |
DRAM 模块插拔测试 | 100 次循环 , EIA-364-9 标准 |
包装跌落测试 | 跌落高度 76 厘米,ISTA-1A 标准 |
军用标准温度冲击测试 | -40°C ~ 125°C, MIL-STD-810G 503.6 |
军用标准振动测试 | 振动频率 10 Hz ~ 500 Hz MIL-STD-810G 514.7 |
抗硫化测试 | 480 小时, ASTM B809-95 |
为您的需求量身定制
侧填技术(Side Fill)
在震动环境中,侧填技术通过强化芯片与基板间的连接,确保模块在极端机械应力下仍能稳定运行,无惧外界威胁。

三防涂层
在 DRAM 内存 PCB 表面涂覆丙烯酸保护层,有效抵御湿气、灰尘及腐蚀性物质等有害因素。

探索多元应用场景与成功实例
规格表
Model Name | DDR4 Ultra Temperature SODIMM |
---|---|
DDR Generation | DDR4 Memory |
DIMM Type | SODIMM |
Speed | 2133 MT/s, 2400 MT/s, 2666 MT/s, 2933 MT/s, 3200 MT/s |
Density | 8GB, 16GB, 32GB |
Function | Non-ECC Unbuffered Memory |
Pin Number | 260pin |
Bus Width | x64 |
Voltage | 1.2V |
PCB Height | 1.18 Inches |
Operating Temperature | -40°C ~ 125°C (Tc) |
45μ” Gold Finger | Y |
Anti-Sulfuration | Y |
产品料号
型号 | IC 配置 | Rank | 温度 | 简介 |
M4S0-8GM1NEEM | 1G x 8 | 1R x 8 | -40°C ~ 125°C (Tc) | DDR4 3200 8GB Ultra Temperature SODIMM |
M4S0-AGM1OEEM | 1G x 8 | 2R x 8 | -40°C ~ 125°C (Tc) | DDR4 3200 16GB Ultra Temperature SODIMM |
M4S0-BGM2OEEM | 2G x 8 | 2R x 8 | -40°C ~ 125°C (Tc) | DDR4 3200 32GB Ultra Temperature SODIMM |
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