DDR4
Non-ECC 无缓冲内存
DDR4 SODIMM VLP
特点
- 小型双列直插式内存模组
- 1U 系统专用的超矮版设计
- 通过全面测试，具最佳化稳定性和效能
- 采用原厂 IC，满足严格业界标准
- 对抗严苛环境的抗硫化保护机制
- JEDEC 标准 1.2V（1.26V ~ 1.14V）电压
- 工作环境温度：0°C ~ 95°C（Tc）
- 符合 RoHS 标准且通过 CE / FCC 认证
DDR4 SODIMM VLP 采用超矮版设计，提供业界最快的 3200MT/s 记忆体速度，完全相容于 Intel® Purely 平台及 1U 装置。模组符合所有 JEDEC 相关标准，并提供 4GB 及 8GB 容量，速度亦包含2133MT/s、2400MT/s、2666MT/s 及 2933MT/s 等选项。
VLP 系列模组特别适用于 1U 系统，例如系统高度不到 1.18 英吋的刀锋伺服器资料中心。模组的超矮版设计可改善系统内部通风条件，有效降低高温影响。
采用抗硫化防护镀层的模块保护技术
硫元素在许多行业中普遍存在。当 DRAM 芯片中的银合金接触到含硫气体时，会引发腐蚀反应。这种硫化作用会导致导电性下降，并可能快速引发产品失效。为解决此问题，宜鼎在易损部件表面增设防护镀层，以保护银合金免受硫化腐蚀。
通过第三方测试证明可靠性
确保元器件的耐用性和可靠性是应对严苛环境需求的关键。我们的解决方案通过第三方严格测试，遵循严苛行业标准。这些测试验证了产品在极端条件下的稳固性，确保产品在各种应用场景下均具备可靠的性能表现。
| 包装跌落测试 | 跌落高度 76 厘米，ISTA-1A 标准 |
| 温度冲击测试 | -40°C ~ 110°C, 500 次循环 |
| 军用标准振动测试 | 振动频率 10 Hz ~ 500 Hz MIL-STD-810G 514.7 |
为您的需求量身定制
侧填技术（Side Fill）
在震动环境中，侧填技术通过强化芯片与基板间的连接，确保模块在极端机械应力下仍能稳定运行，无惧外界威胁。
三防涂层
在 DRAM 内存 PCB 表面涂覆丙烯酸保护层，有效抵御湿气、灰尘及腐蚀性物质等有害因素。
探索多元应用场景与成功实例
通信
我们的解决方案确保可靠且不间断的性能，支持高负载下的组网与关键通信基础设施。
规格表
| Model Name | DDR4 SODIMM VLP |
|---|---|
| DDR Generation | DDR4 Memory |
| DIMM Type | SODIMM VLP |
| Speed | 2133 MT/s, 2400 MT/s, 2666 MT/s, 2933 MT/s, 3200 MT/s |
| Density | 4GB, 8GB |
| Function | Non-ECC Unbuffered Memory |
| Pin Number | 260pin |
| Bus Width | x64 |
| Voltage | 1.2V |
| PCB Height | 0.7 Inches |
| Operating Temperature | 0°C ~ 95°C (Tc) |
| Anti-Sulfuration | Y |
产品料号
型号 | IC 配置 | Rank | 温度 | 简介 |
M4S0-4GSS3CEM | 512M x 8 | 1R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 4GB SODIMM VLP |
M4S0-8GS13CEM | 1G x 8 | 1R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 8GB SODIMM VLP |
*Please contact Innodisk for products with other speeds.
