
M.2
8GB ~ 128GB
M.2 (S80) 3IE4
特点
- 专为工业领域打造的 SATA III 解决方案
- 采用独家 L³ 架构
- 无 DRAM,确保 100% 数据完整性
- 卓越的随机读写性能
- 支持 TRIM / NCQ / S.M.A.R.T.
- 内建硬件 LDPC ECC 引擎
- 支持 -40°C 至 85°C 的宽温范围
宜鼎 M.2 (S80) 3IE4 采用 L³ 架构,搭载最新 SATA III(6.0GHz)Marvell NAND 控制器。宜鼎独家的 L³ 架构整合了 L² 架构与低密度奇偶校验(LDPC)技术。L²(Long Life)架构采用 4K 映射算法,有效降低写放大值(WAF),并提供即时损耗均衡技术(Wear Leveling),确保高性能、高稳定性以及延长使用寿命。
M.2 (S80) 3IE4 专为工业级应用设计,支持多项标准功能,包括 TRIM、NCQ 和 S.M.A.R.T.。此外,宜鼎独有的工业级固件可提供高度灵活的定制化服务,是各类工业应用的最佳选择。
Write Protect 防写技术保护数据安全
垃圾数据回收和 TRIM 技术 – 优化 SSD 性能
垃圾数据回收过程可将仍在使用的数据复制到新块中,然后清除原始块中所有数据。通过 TRIM 技术,将垃圾数据收集所需的操作次数降至最低,从而减少 SSD 不必要的抹写,并延长其寿命。

Wear Leveling 损耗均衡技术,延长产品寿命
宜鼎采用创新的损耗均衡技术,彻底革新 SSD 存储机制,从而显著延长使用寿命。通过将此技术应用于动态与静态存储区块,消除传统“热区”与“冷区”的局限,实现 100% 全局损耗均衡,优化利用每个闪存存储区块。

探索多元应用场景与成功实例
规格表
Model Name | M.2 (S80) 3IE4 |
---|---|
Flash Type | iSLC (MLC) |
Interface | SATA III 6.0 Gb/s |
Form Factor | M.2 2280 B+M Key |
Capacity | 8GB ~ 128GB |
Sequential R / W (MB/sec, max.) | 530 / 360 |
P/E Cycle | 20,000 |
TBW (Max.) | 1,388 |
Storage Temperature | -55°C ~ 95°C |
Max. Power Consumption | 1.2W |
Max. Channels | 2 |
External DRAM Buffer | N |
Feature | H/W Write Protect, S.M.A.R.T. |
Dimension (W x L x H/mm) | 22.0 x 80.0 x 3.5 |
Vibration | 20G@[7 ~ 2000Hz] |
Shock | [email protected] |
MTBF | >3 million hours |
Warranty | 5 Years |
产品料号
工作温度 | 标准温度 | 工业级温度 |
8GB | DHM28-08GM41BC1&C | DHM28-08GM41BW1&C |
16GB | DHM28-16GM41BC1DC | DHM28-16GM41BW1DC |
32GB | DHM28-32GM41BC1DC | DHM28-32GM41BW1DC |
64GB | DHM28-64GM41BC1DC | DHM28-64GM41BW1DC |
128GB | DHM28-A28M41BC1DC | DHM28-A28M41BW1DC |
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