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M.2 (S80) 3IE7

M.2

Ultra iSLC 解决方案

M.2 (S80) 3IE7

特点

  • 提供高达 10 万次擦写次数(P/E Cycle)、寿命延长 33倍
  • 采用宜鼎独家 Ultra iSLC 技术
  • 采用 BiCS5 112层 3D TLC 闪存
  • 支持 -40°C 至 85°C 的温度范围
  • 提供 5 年保修与长期稳定供货承诺
为卓越性能而打造

Innodisk M.2 (S80) 3IE7 是一款基于 SATA III 6.0Gb/s 接口标准并专为工业应用设计的闪存设备。采用宜鼎独家 Ultra iSLC 技术,提供高达 10 万次擦写次数,大幅提升设备性能。此外,内置温度传感器(Thermal Sensor)、TRIM、NCQ、S.M.A.R.T. 等功能支持,以及可定制化的工业导向固件,使其更加适用于各类工业场景。

​​​​Ultra iSLC 技术:10 万次擦写循环,33 倍使用寿命​

M.2 (S80) 3IE7 采用 BiCS5 112 层 3D TLC NAND 闪存和宜鼎独有的 Ultra iSLC 技术,实现行业领先的 100K P/E 循环。与传统 3D TLC NAND 闪存相比,这一进步将设备寿命延长了 33 倍。


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iData Guard 数据防护技术

iData Guard 能夠在突发断电场景中,立即触发保护机制阻断主机端的读写指令,同时确保当前执行中的最后一条指令有序完成,将数据完整保存至 SSD 的存储单元,从而保障数据可靠性。

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探索多元应用场景与成功实例

赋能电信网络:以 iSLC 技术突破数据过载瓶颈
赋能电信网络:以 iSLC 技术突破数据过载瓶颈

在当今快速演进的电信环境中,高密度网络传输的需求已达到前所未有的高峰。对于技术领先的电信服务提供商而言,这一快速增长带来了一系列复杂挑战,亟待解决。

深入了解

规格表

Model NameM.2 (S80) 3IE7
Flash TypeiSLC (3D TLC)
InterfaceSATA III 6.0 Gb/s
Form FactorM.2 2280 B+M Key
Capacity20GB ~ 640GB
Sequential R / W (MB/sec, max.)560 / 500
P/E Cycle30,000 / 100,000
TBW (Max.)40,000
Storage Temperature-40°C ~ 85°C
Max. Power Consumption1.6W
Max. Channels4
External DRAM BufferN
FeatureAES, H/W Write Protect, S.M.A.R.T.
Dimension (W x L x H/mm)22.0 x 80.0 x 3.5
Vibration20G@[7 ~ 2000Hz]
Shock[email protected]
MTBF>3 million hours
Warranty5 Years

产品料号

工作温度

标准温度
(0°C ~ 70°C)

工业级温度
(-40°C ~ 85°C)

20GB

DHM28-20GDK1EC*DF

DHM28-20GDK1EW*DF

40GB

DHM28-40GDK1%C*&F

DHM28-40GDK1%W*&F

80GB

DHM28-80GDK1%C*QF

DHM28-80GDK1%W*QF

160GB

DHM28-A60DK1%C*QF

DHM28-A60DK1%W*QF

320GB

DHM28-D2GDK1%CAQF

DHM28-D2GDK1%WAQF

640GB

DHM28-F4GDK1KCAQF

DHM28-F4GDK1KWAQF

 

%. E : 64 layers 3D TLC / K : 112 layers 3D TLC
*. PCB version control
&. S : 1 channel / D : 2 channels / Q : 4 channels

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