
SD 卡和 MicroSD 卡
Ultra iSLC 解决方案
MicroSD 记忆卡 3IE4
特点
- SD 3.0 接口
- 支持 Class 10 UHS-I
- 采用 TLC NAND 闪存
- 性能优异
- 适用于便携式和固定式应用
- 支持 S.M.A.R.T. 功能
宜鼎 MicroSD 3IE4 系列支持 Class 10 UHS-I,专为工业电脑及嵌入式应用设计。该 3.0 系列 SD 卡配备最新固件架构及闪存算法,包括出色的损耗均衡(Wear Leveling)和读取干扰管理(Read Disturb Management)技术,确保高度可靠性和耐用性。
本系列产品采用高品质 TLC NAND 闪存,符合 SD 3.0 和 SD 2.0 规范,提供 8GB 至 128GB 多种容量选择。凭借低功耗设计和多项增强功能,宜鼎 MicroSD 3IE4 系列适用于工业自动化、单板计算机(SBC)、医疗设备、信息娱乐系统及移动应用。
Ultra iSLC 技术:10 万次擦写循环,33 倍使用寿命
MicroSD 记忆卡 3IE4 采用 BiCS5 112 层 3D TLC NAND 闪存和宜鼎独有的 Ultra iSLC 技术,实现行业领先的 100K P/E 循环。与传统 3D TLC NAND 闪存相比,这一进步将设备寿命延长了 33 倍。

Wear Leveling 损耗均衡技术,延长产品寿命
宜鼎采用创新的损耗均衡技术,彻底革新 SSD 存储机制,从而显著延长使用寿命。通过将此技术应用于动态与静态存储区块,消除传统“热区”与“冷区”的局限,实现 100% 全局损耗均衡,优化利用每个闪存存储区块。

探索多元应用场景与成功实例
规格表
Model Name | MicroSD Card 3IE4 |
---|---|
Flash Type | iSLC (3D TLC) |
Interface | SD 3.0, SD 6.1 |
Form Factor | MicroSD Card |
Capacity | 8GB ~ 128GB |
Sequential R / W (MB/sec, max.) | 90 / 80 |
P/E Cycle | 30,000 / 100,000 |
TBW (Max.) | 11,360 |
Storage Temperature | -40°C ~ 85°C |
Max. Power Consumption | 0.7W |
Max. Channels | 1 |
External DRAM Buffer | N |
Features | H/W Write Protect, S.M.A.R.T. |
Dimension (W x L x H/mm) | 11.0 x 15.0 x 1.0 |
Vibration | 20G@[7 ~ 2000Hz] |
Shock | [email protected] |
MTBF | >3 million hours |
Warranty | 5 Years |
产品料号
工作温度 | 类宽温温度 (-25°C ~ 85°C) | 工业级温度 |
8GB | DHSDM-08GS06EE1SL | DHSDM-08GS06EW1SL |
16GB | DHSDM-16GS06%E1SL | DHSDM-16GS06%W1SL |
32GB | DHSDM-32GS06%E1SL | DHSDM-32GS06%W1SL |
64GB | DHSDM-64GS06%E1SL | DHSDM-64GS06%W1SL |
128GB | DHSDM-A28S06%E1SL | DHSDM-A28S06%W1SL |
%. G : 96 layers 3D TLC / K : 112 layers 3D TLC
8GB is only supported by 64 layers 3D TLC