
DDR3
Non-ECC 无缓冲内存
DDR3 UDIMM
特点
- 通过全面测试,具最佳化稳定性和效能
- 采用原厂 IC,满足严格业界标准
- JEDEC 标准 1.5V(1.425V ~ 1.575V)与 1.35V(1.28V ~ 1.45V)电压
- 工作环境温度:0°C ~ 85°C
- 符合 RoHS 标准
- 通过 CE / FCC 认证
 
DDR3 UDIMM 是一款效能持久的工业用内存模组,专为安全监控、自动化及嵌入式市场所设计。模组符合所有 JEDEC 相关标准,除了有 2GB、4GB 和 8GB 等容量外,更提供 1066MT/s、1333MT/s、1600MT/s 及 1866MT/s 速度选项。
通过第三方测试证明可靠性
确保元器件的耐用性和可靠性是应对严苛环境需求的关键。我们的解决方案通过第三方严格测试,遵循严苛行业标准。这些测试验证了产品在极端条件下的稳固性,确保产品在各种应用场景下均具备可靠的性能表现。
| 包装跌落测试 | 跌落高度 76 厘米,ISTA-1A 标准 | 
| 温度冲击测试 | -40°C ~ 110°C, 500 次循环 | 
| DRAM 模块插拔测试 | 100 次循环, EIA-364-9 | 
为您的需求量身定制
侧填技术(Side Fill)
在震动环境中,侧填技术通过强化芯片与基板间的连接,确保模块在极端机械应力下仍能稳定运行,无惧外界威胁。

三防涂层
在 DRAM 内存 PCB 表面涂覆丙烯酸保护层,有效抵御湿气、灰尘及腐蚀性物质等有害因素。

IMPLEMENTED WITH SUCCESS IN DYNAMIC ENVIRONMENTS
规格表
| Model Name | DDR3 UDIMM | 
|---|---|
| DDR Generation | DDR3 Memory | 
| DIMM Type | UDIMM | 
| Speed | 1066 MT/s, 1333 MT/s, 1600 MT/s, 1866 MT/s | 
| Density | 2GB, 4GB, 8GB | 
| Function | Non-ECC Unbuffered Memory | 
| Pin Number | 240pin | 
| Bus Width | x64 | 
| Voltage | 1.35V, 1.5V | 
| PCB Height | 1.18 Inches | 
| Operating Temperature | 0°C ~ 85°C | 
产品料号
| 型号 | IC 配置 | Rank | 温度 | 简介 | 
| M3U0-2GMJBCQE | 256M x 8 | 1R x 8 | 0°C ~ 85°C | DDR3 1866 2GB UDIMM | 
| M3U0-2GMVHCQE | 256M x 16 | 1R x 16 | 0°C ~ 85°C | DDR3 1866 2GB UDIMM | 
| M3U0-4GMJACQE | 256M x 8 | 2R x 8 | 0°C ~ 85°C | DDR3 1866 4GB UDIMM | 
| M3U0-4GMSBCQE | 512M x 8 | 1R x 8 | 0°C ~ 85°C | DDR3 1866 4GB UDIMM | 
| M3U0-8GMSACQE | 512M x 8 | 2R x 8 | 0°C ~ 85°C | DDR3 1866 8GB UDIMM | 
| M3U0-2GMJBLQE | 256M x 8 | 1R x 8 | 0°C ~ 85°C | DDR3L 1866 2GB UDIMM | 
| M3U0-2GMVHLQE | 256M x 16 | 1R x 16 | 0°C ~ 85°C | DDR3L 1866 2GB UDIMM | 
| M3U0-4GMJALQE | 256M x 8 | 2R x 8 | 0°C ~ 85°C | DDR3L 1866 4GB UDIMM | 
| M3U0-4GMSBLQE | 512M x 8 | 1R x 8 | 0°C ~ 85°C | DDR3L 1866 4GB UDIMM | 
| M3U0-8GMSALQE | 512M x 8 | 2R x 8 | 0°C ~ 85°C | DDR3L 1866 8GB UDIMM | 
*Please contact Innodisk for products with other speeds.





