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DDR3 UDIMM

DDR3

Non-ECC 无缓冲内存

DDR3 UDIMM

特点

  • 通过全面测试,具最佳化稳定性和效能
  • 采用原厂 IC,满足严格业界标准
  • JEDEC 标准 1.5V(1.425V ~ 1.575V)与 1.35V(1.28V ~ 1.45V)电压
  • 工作环境温度:0°C ~ 85°C
  • 符合 RoHS 标准
  • 通过 CE / FCC 认证
     
为卓越效能而打造

DDR3 UDIMM 是一款效能持久的工业用内存模组,专为安全监控、自动化及嵌入式市场所设计。模组符合所有 JEDEC 相关标准,除了有 2GB、4GB 和 8GB 等容量外,更提供 1066MT/s、1333MT/s、1600MT/s 及 1866MT/s 速度选项。

通过第三方测试证明可靠性

确保元器件的耐用性和可靠性是应对严苛环境需求的关键。我们的解决方案通过第三方严格测试,遵循严苛行业标准。这些测试验证了产品在极端条件下的稳固性,确保产品在各种应用场景下均具备可靠的性能表现。

 

包装跌落测试
跌落高度 76 厘米,ISTA-1A 标准
温度冲击测试
-40°C ~ 110°C, 500 次循环
DRAM 模块插拔测试
100 次循环, EIA-364-9

为您的需求量身定制

侧填技术(Side Fill)

在震动环境中,侧填技术通过强化芯片与基板间的连接,确保模块在极端机械应力下仍能稳定运行,无惧外界威胁。

三防涂层

在 DRAM 内存 PCB 表面涂覆丙烯酸保护层,有效抵御湿气、灰尘及腐蚀性物质等有害因素。

IMPLEMENTED WITH SUCCESS IN DYNAMIC ENVIRONMENTS

工业 / 嵌入式系统
工业 / 嵌入式系统

专为极端环境设计,我们的产品具备高耐用性,满足工业自动化与嵌入式系统的严苛需求。

安防监控
安防监控

专为数字时代监控打造的解决方案,提供先进的数据分析与实时响应能力。

工业自动化
工业自动化

我们的产品提供精准的数据管理与持久稳定的性能表现,有效提升工业自动化系统效率。

规格表

Model NameDDR3 UDIMM
DDR GenerationDDR3 Memory
DIMM TypeUDIMM
Speed1066 MT/s, 1333 MT/s, 1600 MT/s, 1866 MT/s
Density2GB, 4GB, 8GB
FunctionNon-ECC Unbuffered Memory
Pin Number240pin
Bus Widthx64
Voltage1.35V, 1.5V
PCB Height1.18 Inches
Operating Temperature0°C ~ 85°C

产品料号

型号

IC 配置

Rank

温度

简介

M3U0-2GMJBCQE

256M x 8

1R x 8

0°C ~ 85°C

DDR3 1866 2GB UDIMM

M3U0-2GMVHCQE

256M x 16

1R x 16

0°C ~ 85°C

DDR3 1866 2GB UDIMM

M3U0-4GMJACQE

256M x 8

2R x 8

0°C ~ 85°C

DDR3 1866 4GB UDIMM

M3U0-4GMSBCQE

512M x 8

1R x 8

0°C ~ 85°C

DDR3 1866 4GB UDIMM

M3U0-8GMSACQE

512M x 8

2R x 8

0°C ~ 85°C

DDR3 1866 8GB UDIMM

M3U0-2GMJBLQE

256M x 8

1R x 8

0°C ~ 85°C

DDR3L 1866 2GB UDIMM

M3U0-2GMVHLQE

256M x 16

1R x 16

0°C ~ 85°C

DDR3L 1866 2GB UDIMM

M3U0-4GMJALQE

256M x 8

2R x 8

0°C ~ 85°C

DDR3L 1866 4GB UDIMM

M3U0-4GMSBLQE

512M x 8

1R x 8

0°C ~ 85°C

DDR3L 1866 4GB UDIMM

M3U0-8GMSALQE

512M x 8

2R x 8

0°C ~ 85°C

DDR3L 1866 8GB UDIMM


*Please contact Innodisk for products with other speeds.

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