创新技术

冷热冲击测试

模拟冷热环境的快速变化，借此评估模组对温度遽变的耐受能力。 （测试条件：-40°C ~ 110°C，500 次循环）

温度循环测试

评估模组在极端高低温交替条件下的耐受程度。 （测试条件：-25°C ~ 100°C，1000 次循环）

高温与高湿度测试

评估 DRAM 模组在存放条件下，时间和温度对热活化故障机制及故障寿命分布的影响。 （测试条件：85°C / 95% 相对湿度，168 小时，符合 JEDEC J-STD-020C MSL 标准）

军用标准冷热冲击测试

模拟极端冷热环境的快速变化，借此评估模组耐受温度剧变的能力。 （测试条件：-40°C ~ 125°C，符合 MIL-STD-810G 503.6 标准）

四象限测试

模拟极端条件以验证 DRAM 模组在高低温与高低电压组合下的效能与稳定性，确保产品在各种环境下的功能与品质稳定。 （测试条件：-40°C / 95°C，±5% 电压， 24 小时）

烧机测试

验证 DIMM 在极端高低温条件下可正常读写且资料完整无误，并排除初期阶段的潜在故障。 （测试条件：-40°C / 25°C / 95°C，24 小时）

PCB 弯曲测试

透过推压测试验证 PCB 与焊球之间的耐疲劳强度。此测试确保 DRAM 模组在装运期间，或是系统承受振动和外力时，仍能维持可靠效能。 （测试条件：挠度1.2 mm，符合 EIAJ-4702 标准）

DRAM 模组插拔测试

验证连接器介面的耐用度。透过反覆插拔测式，确认镀金接点的稳固性，防止因磨损导致接触不良，确保长期稳定的电气连接。 （测试条件：100 次循环，符合 EIA-364-9 标准）

包装落下测试

评估 DRAM 模组在运输和处理作业期间，对振动与冲击的耐受力及韧性。此测试确认模组能耐受掉落冲击而不受损，并保持功能正常。 （测试条件：落下高度 76 公分，符合 ISTA-1A 标准）

军用标准振动测试

验证模组在运行和运输期间的抗震能力，确保在各种震动条件下，皆能维持机械稳定性与可靠效能。 （测试条件：振动频率 10 Hz ~ 500 Hz，符合 MIL-STD-810G 514.7 标准）

振动测试

验证模组在运行和运输期间的耐震动能力，确保在各种震动条件下，皆能维持机械稳定性与可靠效能。 （测试条件：振动频率 80 Hz ~ 2,000 Hz，符合 IEC 60068-2-6 标准）

机械冲击测试

主要评估 DRAM 模组遭受严重冲击时的可靠度，此类冲击可能源自处理作业、运输或现场操作不当时，突如其来的作用力或动作骤变。 （测试条件：冲击加速度 1,500 g，符合 IEC 60068-2-27 标准）

U 型强固技术（Side Fill）拉力测试

衡量 U 型强固（Side Fill）树脂在硬化后的抗弯和抗压程度。 （测试条件：最高拉力 56 kgf）

U 型耐震扣（Rugged Clip）振动测试

评估 U 型耐震扣（Rugged Clip）的机械稳定性，确保扣具在各种条件下，都能牢牢固定模组，避免在操作期间移位。 （测试条件：振动频率 20 Hz ~ 500 Hz，加速度 3.1G（符合 EIA 364-28 VII 标准））

抗硫化测试

验证模组的抗硫化腐蚀能力，确保银制元件在含硫环境下仍能维持正常运作与稳定性。 （测试条件：480 小时，符合 ASTM B809-95 标准）

散热振动测试

验证散热片在强烈振动环境下的固定强度，确保螺丝连接稳固，维持结构稳定性。 （测试条件：振动频率 20 Hz ~ 500 Hz，加速度 3.1G）

电源开关测试

在极端温度下连续关机和重启后，确认 DIMM 能保持正常开启和关闭。 （测试条件：-40°C ~ 95°C，各 500 次循环，符合 IEC60068-2-2：2007 标准）

自动重开机测试

测试系统于室温下重开机时，仍可以正常辨识出 DIMM。 （测试条件：-25°C，500 次循环）

S3 循环测试

测试系统在室温下，能从 S3 休眠状态成功唤醒，且资料无误。 （测试条件：-25°C，500 次循环）