M.2
8GB ~ 64GB
M.2 (S42) 3SE4
特点
- 专为工业领域打造的 SATA III 解决方案
- 采用独家 L³ 架构
- 无 DRAM，确保 100% 数据完整性
- 卓越的随机读写性能
- 支持 TRIM / NCQ / S.M.A.R.T.
- 内置硬件 LDPC ECC 引擎
- 支持 -40°C 至 85°C 的宽温范围
为卓越性能而打造
宜鼎 M.2 (S42) 3SE4 采用 L³ 架构，搭载最新 SATA III（6.0Gb/s）Marvell NAND 控制器。独家的 L³ 架构结合了 L² 架构与低密度奇偶校验（LDPC）技术。L²（Long Life）架构采用 4K 映射算法，可有效降低写放大值（WAF），并提供即时损耗均衡技术（Wear Leveling），确保高性能、高稳定性以及延长使用寿命。
M.2 (S42) 3SE4 专为工业级应用设计，支持多项标准功能，包括 TRIM、NCQ 和 S.M.A.R.T.。此外，宜鼎独有的工业级固件可提供高度灵活的定制化服务，是各类工业应用的最佳选择。
Write Protect 防写技术保护数据安全
垃圾数据回收和 TRIM 技术 – 优化 SSD 性能
垃圾数据回收过程可将仍在使用的数据复制到新块中，然后清除原始块中所有数据。通过 TRIM 技术，将垃圾数据收集所需的操作次数降至最低，从而减少 SSD 不必要的抹写，并延长其寿命。
Wear Leveling 损耗均衡技术，延长产品寿命
宜鼎采用创新的损耗均衡技术，彻底革新 SSD 存储机制，从而显著延长使用寿命。通过将此技术应用于动态与静态存储区块，消除传统“热区”与“冷区”的局限，实现 100% 全局损耗均衡，优化利用每个闪存存储区块。
探索多元应用场景与成功实例
工业 / 嵌入式系统
专为极端环境设计，我们的产品具备高耐用性，满足工业自动化与嵌入式系统的严苛需求。
精选资源
| Model Name | M.2 (S42) 3SE4 |
|---|---|
| Flash Type | SLC |
| Interface | SATA III 6.0 Gb/s |
| Form Factor | M.2 2242 B+M Key |
| Capacity | 8GB ~ 64GB |
| Sequential R / W (MB/sec, max.) | 520 / 360 |
| P/E Cycle | 60,000 |
| TBW (Max.) | 2,500 |
| Storage Temperature | -55°C ~ 95°C |
| Max. Power Consumption | 0.6W |
| Max. Channels | 2 |
| External DRAM Buffer | N |
| Feature | H/W Write Protect, S.M.A.R.T. |
| Dimension (W x L x H/mm) | 22.0 x 42.0 x 3.65 |
| Vibration | 20G@[7 ~ 2000Hz] |
| Shock | [email protected] |
| MTBF | >3 million hours |
| Warranty | 5 Years |
产品料号
工作温度 | 标准温度 | 工业级温度 |
8GB | DEM24-08GM41SCADB | DEM24-08GM41SWADB |
16GB | DEM24-16GM41SCADB | DEM24-16GM41SWADB |
32GB | DEM24-32GM41SCADB | DEM24-32GM41SWADB |
64GB | DEM24-64GM41SCADB | DEM24-64GM41SWADB |
