
DDR5
纤巧设计,双倍带宽
LPDDR5X CAMM2 (LPCAMM2)
特点
- 单面双通道设计,支持 128-bit 传输带宽
- 传输速度高达 8533MT/s
- 节省高达 60% 的系统安装空间
- 消除残线效应,全面提升信号完整性
- 1.05V低电压运行,显著降低功耗
- 模块化 LPDDR5X IC 设计,具备升级与维修弹性
- 螺丝锁固设计,确保优异抗振性能
Innodisk 全新推出的 LPCAMM2 内存模块采用纤薄设计,单面模块内置 128-bit 双通道架构,大幅简化主板布线,提升信号完整性。
LPCAMM2 模块采用平贴式设计,可节省高达 60% 的安装空间。其模块化 LPDDR IC 设计突破传统“IC on Board”的限制,具备升级与维修弹性。搭配螺丝锁固结构,有效增强抗振能力。通过搭载 LPDDR5X 内存,该模块可在仅 1.05V 电压下实现最高 8533 MT/s 的传输速度。
纤薄双通道设计,节省60%空间
LPCAMM2 具备创新的双通道架构与 128-bit 带宽,凭借其纤薄外形和平贴式设计,相较传统 SODIMM 可节省约 60% 的安装空间,提升系统配置灵活性,为小型化计算机或无风扇系统释放更多散热空间。

消除残线效应,优化信号完整性
在传统系统设计中,未使用的 DIMM 插槽可能产生残线效应(Stub),影响信号完整性。LPCAMM2 通过简化的主板布线,有效消除残线问题,提升高速传输下的信号稳定性。

极速传输,低功耗运行
LPCAMM2 搭载 LPDDR5X 内存,仅需 1.05V 工作电压即可实现高达 8533 MT/s 的传输速度。在提供极致性能的同时,有效降低功耗,延长边缘系统的续航能力。

模块化设计,升级便捷、耐震可靠
相较于传统 LPDDR 的 IC on Board 设计,LPCAMM2 采用模块化 IC 设计,无需更换整块主板即可进行内存维修与升级,为采用 LPDDR 内存的平台带来维护性的突破。此外,LPCAMM2 通过螺丝锁固设计,提供优异的抗振性能,满足严苛环境下的部署需求。

探索多元应用场景与成功实例
规格表
Model Name | LPDDR5X CAMM2 (LPCAMM2) |
---|---|
DDR Generation | LPDDR5X Memory |
DIMM Type | CAMM2 |
Speed | 8533 MT/s |
Density | 32GB, 64GB |
Function | Non-ECC Unbuffered Memory |
Pin Number | 666pin |
Bus Width | x128 |
Voltage | 1.05V |
PCB Height | 1.32 inches |
Operating Temperature | 0°C ~ 85°C (Tc) |
Anti-Sulfuration | Y |
产品料号
型号 | IC 配置 | Rank | 温度 | 简介 |
TBC | 2G x 32 | 2R x 16 | 0°C ~ 85°C (Tc) | LPDDR5X 8533 32GB CAMM2 |
TBC | 4G x 32 | 2R x 16 | 0°C ~ 85°C (Tc) | LPDDR5X 8533 64GB CAMM2 |