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DDR5 宽温 ECC UDIMM VLP

DDR5

ECC 无缓冲内存

DDR5 宽温 ECC UDIMM VLP

特点

  • 采用超矮版(VLP)设计,节省 40% 系统空间
  • 工作温度范围:-40°C ~ 95°C(Tc)
  • ECC DIMM 内置错误修正与检测功能
  • 速度最高达 5600MT/s,配备 32GB 大容量
  • 原厂 (Original) 等级 DDR5 芯片,具备 on-die ECC 纠错功能
  • DDR5 模组搭载 PMIC 和双子通道架构
  • 30μ" 金手指确保强固耐用,附带适应严苛环境的抗硫化保护层
  • 符合 RoHS 及 CE/FCC 认证

     
为卓越性能而打造

AI 驱动了数据传输需求的增长,而 DDR5 DRAM 正是满足该需求的理想选择。随着设计与研发技术的进步,DDR5 内存容量提升至 32GB、速度达到 5600MT/s,整体性能远超前几代产品。

节省40%的空间,提高冷却能力和系统灵活性

DDR5 宽温 ECC UDIMM VLP 高度仅 1.8 厘米,实现空间占用减少 40%。其矮版设计降低 PCB 用量并减少降低资源消耗。同时改善气流以增强内存散热效率、节省风扇能耗,并提供更高的系统配置灵活性。

完美适应不断变化的条件

通过开发专用测试方法,宜鼎 DDR5 宽温 ECC UDIMM VLP 模块专为在 -40℃ 至 95℃ 的工业级温度范围内运行而设计,使其成为极端环境和严苛应用的理想选择。


  Wide Temperature >  

更高数据可靠性,更低功耗

DDR5 宽温 ECC UDIMM VLP 内存模组搭载电源管理 IC(PMIC),可维持 1.1V 稳定电源供应,保障稳定高效的运行。同时,该 IC 集成 on-die ECC 纠错功能,可提供额外数据丢失保护层,降低出错风险,提高整体可靠性。 

采用抗硫化防护镀层的模块保护技术

硫元素在许多行业中普遍存在。当 DRAM 芯片中的银合金接触到含硫气体时,会引发腐蚀反应。这种硫化作用会导致导电性下降,并可能快速引发产品失效。为解决此问题,宜鼎在易损部件表面增设防护镀层,以保护银合金免受硫化腐蚀。


  Anti-Sulfuration >  
 

工业级验证和测试

宜鼎针对模块的每个关键元器件进行严格交叉验证流程,以确保最高稳定性和兼容性。

 

探索多元应用场景与成功实例

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规格表

Model NameDDR5 Wide Temperature ECC UDIMM VLP
DDR GenerationDDR5 Memory
DIMM TypeECC UDIMM VLP
Speed4800 MT/s, 5600 MT/s
Density16GB, 32GB
FunctionECC Unbuffered Memory
Pin Number288pin
Bus Widthx72
Voltage1.1V
PCB Height0.738 Inches
Operating Temperature-40°C ~ 95°C (Tc)
30μ” Gold FingerY
Anti-SulfurationY

产品料号

型号

IC 配置

Rank

温度

简介

M5C0-AGS2S5ZQ

2G x 8

1R x 8

-40°C ~ 95°C (Tc)

DDR5 5600 16GB Wide Temperature  ECC UDIMM VLP

M5C0-AGM2S5ZQ

2G x 8

1R x 8

-40°C ~ 95°C (Tc)

DDR5 5600 16GB Wide Temperature  ECC UDIMM VLP

M5C0-BGS2T5ZQ

2G x 8

2R x 8

-40°C ~ 95°C (Tc)

DDR5 5600 32GB Wide Temperature  ECC UDIMM VLP

M5C0-BGM2T5ZQ

2G x 8

2R x 8

-40°C ~ 95°C (Tc)

DDR5 5600 32GB Wide Temperature  ECC UDIMM VLP


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