
DDR5
驱动边缘 AI 与生成式 AI 应用
DDR5 8000 RDIMM
特点
- 内置寄存器,强化时钟、指令及控制信号
- 提供高达 8000 MT/s 的卓越数据传输速率,单条容量最高达 64GB
- 新增瞬态电压抑制 (TVS) 二极管与电子保险丝,确保模组完整性与可靠性
- 经过全面测试与优化,满足 AI 与边缘计算的数据密集型应用需求
- 工作温度:0 °C ~ 95 °C (Tc)
- 30μ" 金手指设计,坚固耐用,并配备抗硫化保护层,适应严苛环境
为卓越性能而打造
DDR5 8000 系列提供卓越性能,支持高达 8000 MT/s 的高速数据传输,单条模组容量最高可达 64GB。该下一代解决方案提供多种规格选项,涵盖 CUDIMM、CSODIMM、ECC CUDIMM、ECC CSODIMM 及 RDIMM,采用先进的 CKD 芯片 (客户端时钟驱动器) 以增强信号完整性,并内置 TVS (瞬态电压抑制器) 有效抵御电压波动。相较前代产品,处理速度提升11%,并针对大型语言模型 (LLM)、生成式 AI 和边缘计算等数据密集型应用场景进行了专门优化。
业界领先的 8000 MT/s 高速传输,容量最高达 64GB
DDR5 8000 系列提供顶尖的 8000 MT/s 传输速率,性能较前代产品显著提升 11%。模组单条最高容量更提升至 64GB,充分满足边缘 AI 与数据密集型应用的严苛需求。

TVS 二极管有效防护电压波动
瞬态电压抑制(TVS)二极管可导通因异常电压产生的过电流,并将其迅速泄放到地,从而保护 DRAM 免受静电放电(ESD)和电源波动等意外浪涌的损害,为内存模组提供可靠的过压与静电防护机制。

内置 eFuse 电子保险丝,模组防护再升级
当遭遇过电压导致 eFuse 过载时,eFuse 会自动切断电路,有效防止 DRAM 元器件受损,进一步提升模组的安全性与可靠性。

规格齐全,全面兼容最新平台
提供多种配置选项,包括 CUDIMM、CSODIMM、ECC CUDIMM、ECC CSODIMM 和 RDIMM,容量覆盖 8GB 至 64GB。全面兼容最新 Intel 与 AMD 处理器,以高度灵活的解决方案满足各类应用场景需求。

探索多元应用场景与成功实例
规格表
| Model Name | DDR5 8000 RDIMM |
|---|---|
| DDR Generation | DDR5 Memory |
| DIMM Type | RDIMM |
| Speed | 8000 MT/s |
| Density | 16GB, 24GB, 32GB, 48GB, 64GB |
| Function | Registered Memory with ECC |
| Pin Number | 288pin |
| Bus Width | x80 |
| Voltage | 1.1V |
| PCB Height | 1.23 inches |
| Operating Temperature | 0°C ~ 95°C (Tc) |
| 30μ” Gold Finger | Y |
| Anti-Sulfuration | Y |
产品料号
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