DDR4
Non-ECC 無緩衝記憶體
DDR4 UDIMM
特点
- 通过全面测试，具最佳化稳定性和效能
- 采用原厂 IC，满足严格业界标准
- 对抗严苛环境的抗硫化保护机制
- JEDEC 标准 1.2V（1.26V ~ 1.14V）电压
- 工作环境温度：0°C ~ 95°C（Tc）
- 符合 RoHS 标准
- 通过 CE / FCC 认证
DDR4 UDIMM 提供业界最快的 3200MT/s 记忆体速度，是安全监控、自动化及嵌入式应用的首选。模组符合所有 JEDEC 相关标准，并提供 4GB、8GB、16GB 和 32GB 等容量。速度亦包含 2133MT/s、2400MT/s、2666MT/s 及 2933MT/s 等选项。
采用抗硫化防护镀层的模块保护技术
硫元素在许多行业中普遍存在。当 DRAM 芯片中的银合金接触到含硫气体时，会引发腐蚀反应。这种硫化作用会导致导电性下降，并可能快速引发产品失效。为解决此问题，宜鼎在易损部件表面增设防护镀层，以保护银合金免受硫化腐蚀。
通过第三方测试证明可靠性
确保元器件的耐用性和可靠性是应对严苛环境需求的关键。我们的解决方案通过第三方严格测试，遵循严苛行业标准。这些测试验证了产品在极端条件下的稳固性，确保产品在各种应用场景下均具备可靠的性能表现。
| 弯曲测试 | 挠度1.2 毫米，EIAJ-4702 标准 |
| DRAM 模块插拔测试 | 100 次循环 , EIA-364-9 标准 |
| 包装跌落测试 | 跌落高度 76 厘米，ISTA-1A 标准 |
| 温度冲击测试 | -40°C ~ 110°C, 500 次循环 |
| 军用标准振动测试 | 振动频率 10 Hz ~ 500 Hz MIL-STD-810G 514.7 |
| 抗硫化测试 | 480 小时, ASTM B809-95 |
为您的需求量身定制
侧填技术（Side Fill）
在震动环境中，侧填技术通过强化芯片与基板间的连接，确保模块在极端机械应力下仍能稳定运行，无惧外界威胁。
三防涂层
在 DRAM 内存 PCB 表面涂覆丙烯酸保护层，有效抵御湿气、灰尘及腐蚀性物质等有害因素。
探索多元应用场景与成功实例
High-Performance Equipment Hospital Future
A leading medical equipment manufacturer developed an advanced operating room (OR) solution integrating video feeds and critical data to enhance productivity, safety, and workflows.
精选资源
| Model Name | DDR4 UDIMM |
|---|---|
| DDR Generation | DDR4 Memory |
| DIMM Type | UDIMM |
| Speed | 2133 MT/s, 2400 MT/s, 2666 MT/s, 2933 MT/s, 3200 MT/s |
| Density | 4GB, 8GB, 16GB, 32GB |
| Function | Non-ECC Unbuffered Memory |
| Pin Number | 288pin |
| Bus Width | x64 |
| Voltage | 1.2V |
| PCB Height | 1.23 Inches |
| Operating Temperature | 0°C ~ 95°C (Tc) |
| Anti-Sulfuration | Y |
产品料号
型号 | IC 配置 | Rank | 温度 | 简介 |
M4U0-2GSV1CEM | 256M x 16 | 1R x 16 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 2GB UDIMM |
M4U0-4GSV2CEM | 256M x 16 | 2R x 16 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 4GB UDIMM |
M4U0-4GSSJCEM | 512M x 8 | 1R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 4GB UDIMM |
M4U0-4GSX1CEM | 512M x 16 | 1R x 16 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 4GB UDIMM |
M4U0-4GMX1CEM | 512M x 16 | 1R x 16 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 4GB UDIMM |
M4U0-8GSSKCEM | 512M x 8 | 2R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 8GB UDIMM |
M4U0-8GSX2CEM | 512M x 16 | 2R x 16 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 8GB UDIMM |
M4U0-8GMX2CEM | 512M x 16 | 2R x 16 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 8GB UDIMM |
M4U0-8GS1JCEM | 1G x 8 | 1R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 8GB UDIMM |
M4U0-8GM1JCEM | 1G x 8 | 1R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 8GB UDIMM |
M4U0-8GSY1CEM | 1G x 16 | 1R x 16 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 8GB UDIMM |
M4U0-AGS1KCEM | 1G x 8 | 2R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 16GB UDIMM |
M4U0-AGM1KCEM | 1G x 8 | 2R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 16GB UDIMM |
M4U0-AGSY2CEM | 1G x 16 | 2R x 16 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 16GB UDIMM |
M4U0-AGS2JCEM | 2G x 8 | 1R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 16GB UDIMM |
M4U0-AGM2JCEM | 2G x 8 | 1R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 16GB UDIMM |
M4U0-BGS2KCEM | 2G x 8 | 2R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 32GB UDIMM |
M4U0-BGM2KCEM | 2G x 8 | 2R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 32GB UDIMM |
*Please contact Innodisk for products with other speeds.
