DDR3
带 ECC 寄存式内存
DDR3 RDIMM
特点
- 内建暂存器以加强时脉、指令及控制讯号
- ECC DIMM 内建错误修正和侦测功能
- 通过全面测试，具最佳化稳定性和效能
- 采用原厂 IC，满足严格业界标准
- JEDEC 标准 1.5V（1.425V ~ 1.575V）与 1.35V（1.28V ~ 1.45V）电压
- 工作环境温度：0°C ~ 85°C
- 30μ” 金手指
- 符合 RoHS 标准，通过 CE / FCC 认证
DDR3 RDIMM 是一款效能持久的工业用记忆体模组，专为伺服器及网路服务市场所设计。此模组搭载 30μ”金手指，内建单位元纠错功能及暂存器，可加强时脉、指令及控制讯号。除了有 2GB、4GB 和 8GB 容量外，更提供 1333MT/s、1600MT/s 及 1866MT/s 速度选项。
错误更正码（ECC）功能，可侦测及修正资料储存及传输过程中个别位元的错误。ECC 模组采用汉明码或三重模组冗余，以进行错误侦测及修正，可自行管理纠错，无须要求资料源重新发送原始资料。
通过第三方测试证明可靠性
确保元器件的耐用性和可靠性是应对严苛环境需求的关键。我们的解决方案通过第三方严格测试，遵循严苛行业标准。这些测试验证了产品在极端条件下的稳固性，确保产品在各种应用场景下均具备可靠的性能表现。
| 包装跌落测试 | 跌落高度 76 厘米，ISTA-1A 标准 |
| 温度冲击测试 | -40°C ~ 110°C, 500 次循环 |
| DRAM 模块插拔测试 | 100 次循环 , EIA-364-9 |
为您的需求量身定制
侧填技术（Side Fill）
在震动环境中，侧填技术通过强化芯片与基板间的连接，确保模块在极端机械应力下仍能稳定运行，无惧外界威胁。
三防涂层
在 DRAM 内存 PCB 表面涂覆丙烯酸保护层，有效抵御湿气、灰尘及腐蚀性物质等有害因素。
探索多元应用场景与成功实例
边缘服务器
专为边缘计算设计，我们的产品确保在严苛环境中的稳定性能，支持边缘设备的实时数据处理。
数据中心
作为现代计算的支柱，我们的解决方案为数据密集型运行提供高性能和高可靠性保障。
通信
我们的解决方案确保可靠且不间断的性能，支持高负载下的组网与关键通信基础设施。
规格表
| Model Name | DDR3 RDIMM |
|---|---|
| DDR Generation | DDR3 Memory |
| DIMM Type | RDIMM |
| Speed | 1333 MT/s, 1600 MT/s, 1866 MT/s |
| Density | 2GB, 4GB, 8GB |
| Function | Registered Memory with ECC |
| Pin Number | 240pin |
| Bus Width | x72 |
| Voltage | 1.35V, 1.5V |
| PCB Height | 1.18 Inches |
| Operating Temperature | 0°C ~ 85°C |
| 30μ” Gold Finger | Y |
产品料号
型号 | IC 配置 | Rank | 温度 | 简介 |
ACT2GHR72N8H1866M | 256M x 8 | 1R x 8 | 0°C ~ 85°C | DDR3 1866 2GB RDIMM |
ACT4GHR72P8H1866M | 256M x 8 | 2R x 8 | 0°C ~ 85°C | DDR3 1866 4GB RDIMM |
ACT4GHR72N8J1866M | 512M x 8 | 1R x 8 | 0°C ~ 85°C | DDR3 1866 4GB RDIMM |
ACT8GHR72P8J1866M | 512M x 8 | 2R x 8 | 0°C ~ 85°C | DDR3 1866 8GB RDIMM |
ACT2GHR72N8H1866M-LV | 256M x 8 | 1R x 8 | 0°C ~ 85°C | DDR3L 1866 2GB RDIMM |
ACT4GHR72P8H1866M-LV | 256M x 8 | 2R x 8 | 0°C ~ 85°C | DDR3L 1866 4GB RDIMM |
ACT4GHR72N8J1866M-LV | 512M x 8 | 1R x 8 | 0°C ~ 85°C | DDR3L 1866 4GB RDIMM |
ACT8GHR72P8J1866M-LV | 512M x 8 | 2R x 8 | 0°C ~ 85°C | DDR3L 1866 8GB RDIMM |
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