
DDR4
ECC 无缓冲内存
DDR4 ECC UDIMM VLP
特点
- 1U 系统专用的超矮版设计
- ECC DIMM 内建错误修正和侦测功能
- 通过全面测试,具最佳化稳定性和效能
- 采用原厂 IC,满足严格业界标准
- 对抗严苛环境的抗硫化保护机制
- JEDEC 标准 1.2V(1.26V ~ 1.14V)电压
- 工作环境温度:0°C ~ 95°C(Tc)
- 30μ”金手指,符合 RoHS 标准且通过 CE / FCC 认证
DDR4 ECC UDIMM VLP 搭配矮版设计,提供业界最快的 3200MT/s 记忆体速度。此模组搭载 30μ”金手指,内建单位元纠错功能,专为网路及伺服器所设计。模组提供 4GB、8GB、16GB 及 32GB 等容量,速度亦包含 2133MT/s、2400MT/s、2666MT/s 及 2933MT/s 等选项。
VLP 系列模组特别适用于 1U 系统,例如系统高度不到 1.18 英吋的刀锋伺服器资料中心。模组的超矮版设计可改善系统内部通风条件,有效降低高温影响。
错误更正码(ECC)功能,可侦测及修正资料储存及传输过程中个别位元的错误。 ECC 模组采用汉明码或三重模组冗余,以进行错误侦测及修正,可自行管理纠错,无须要求资料源重新发送原始资料。
采用抗硫化防护镀层的模块保护技术
硫元素在许多行业中普遍存在。当 DRAM 芯片中的银合金接触到含硫气体时,会引发腐蚀反应。这种硫化作用会导致导电性下降,并可能快速引发产品失效。为解决此问题,宜鼎在易损部件表面增设防护镀层,以保护银合金免受硫化腐蚀。

通过第三方测试证明可靠性
确保元器件的耐用性和可靠性是应对严苛环境需求的关键。我们的解决方案通过第三方严格测试,遵循严苛行业标准。这些测试验证了产品在极端条件下的稳固性,确保产品在各种应用场景下均具备可靠的性能表现。
包装跌落测试 | 跌落高度 76 厘米,ISTA-1A 标准 |
温度冲击测试 | -40℃~110℃,500 次循环 |
军用标准振动测试 | 振动频率 10 Hz ~ 500 Hz MIL-STD-810G 514.7 标准 |
为您的需求量身定制
侧填技术(Side Fill)
在震动环境中,侧填技术通过强化芯片与基板间的连接,确保模块在极端机械应力下仍能稳定运行,无惧外界威胁。

三防涂层
在 DRAM 内存 PCB 表面涂覆丙烯酸保护层,有效抵御湿气、灰尘及腐蚀性物质等有害因素。

探索多元应用场景与成功实例
规格表
Model Name | DDR4 ECC UDIMM VLP |
---|---|
DDR Generation | DDR4 Memory |
DIMM Type | ECC UDIMM VLP |
Speed | 2133 MT/s, 2400 MT/s, 2666 MT/s, 2933 MT/s, 3200 MT/s |
Density | 4GB, 8GB, 16GB, 32GB |
Function | ECC Unbuffered Memory |
Pin Number | 288pin |
Bus Width | x72 |
Voltage | 1.2V |
PCB Height | 0.738 Inches |
Operating Temperature | 0°C ~ 95°C (Tc) |
30μ” Gold Finger | Y |
Anti-Sulfuration | Y |
产品料号
型号 | IC 配置 | Rank | 温度 | 简介 |
M4C0-4GSSSCEM | 512M x 8 | 1R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 4GB ECC UDIMM VLP |
M4C0-8GSSTCEM | 512M x 8 | 2R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 8GB ECC UDIMM VLP |
M4C0-8GS1SCEM | 1G x 8 | 1R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 8GB ECC UDIMM VLP |
M4C0-AGS1TCEM | 1G x 8 | 2R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 16GB ECC UDIMM VLP |
M4C0-BGM2TCEM | 2G x 8 | 2R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 32GB ECC UDIMM VLP |
M4C0-BGS2TCEM | 2G x 8 | 2R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 32GB ECC UDIMM VLP |
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