
DDR4
带 ECC 寄存式内存
DDR4 宽温 RDIMM
特点
- 内建暂存器以加强时脉、指令及控制讯号
- ECC DIMM 内建错误修正和侦测功能
- 通过全面测试,具最佳化稳定性和效能
- 采用原厂 IC,满足严格业界标准
- 对抗严苛环境的抗硫化保护机制
- JEDEC 标准 1.2V(1.26V ~ 1.14V)电压
- 工作环境温度:-40°C ~ 95°C(Tc)
- 符合 RoHS 标准,通过 CE / FCC 认证
DDR4 宽温 RDIMM 提供业界最快的 3200MT/s 记忆体速度,完全相容于 Intel® Purely 平台。此模组搭载 30μ”金手指,内建单位元纠错功能及暂存器,可加强时脉、指令及控制讯号。模组符合所有 JEDEC 相关标准,可在 -40ºC 至 95°C(Tc)的温度范围正常运作。模组提供 4GB 至 32GB 等容量,速度亦包含 2133MT/s、2400MT/s 及 2666MT/s 等选项。
错误更正码(ECC)功能,可侦测及修正资料储存及传输过程中个别位元的错误。 ECC 模组采用汉明码或三重模组冗余,以进行错误侦测及修正,可自行管理纠错,无须要求资料源重新发送原始资料。
采用抗硫化防护镀层的模块保护技术
硫元素在许多行业中普遍存在。当 DRAM 芯片中的银合金接触到含硫气体时,会引发腐蚀反应。这种硫化作用会导致导电性下降,并可能快速引发产品失效。为解决此问题,宜鼎在易损部件表面增设防护镀层,以保护银合金免受硫化腐蚀。

为您的需求量身定制
侧填技术(Side Fill)
在震动环境中,侧填技术通过强化芯片与基板间的连接,确保模块在极端机械应力下仍能稳定运行,无惧外界威胁。

三防涂层
在 DRAM 内存 PCB 表面涂覆丙烯酸保护层,有效抵御湿气、灰尘及腐蚀性物质等有害因素。

探索多元应用场景与成功实例
规格表
Model Name | DDR4 Wide Temperature RDIMM |
---|---|
DDR Generation | DDR4 Memory |
DIMM Type | RDIMM |
Speed | 2133 MT/s, 2400 MT/s, 2666 MT/s, 3200 MT/s |
Density | 4GB, 8GB, 16GB, 32GB |
Function | Registered Memory with ECC |
Pin Number | 288pin |
Bus Width | x72 |
Voltage | 1.2V |
PCB Height | 1.23 Inches |
Operating Temperature | -40°C ~ 95°C (Tc) |
30μ” Gold Finger | Y |
Anti-Sulfuration | Y |
产品料号
型号 | IC 配置 | Rank | 温度 | 简介 |
M4R0-4GSSA5EM | 512M x 8 | 1R x 8 | -40°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 4GB Wide Temperature RDIMM |
M4R0-8GSSB5EM | 512M x 8 | 2R x 8 | -40°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 8GB Wide Temperature RDIMM |
M4R0-8GS1A5EM | 1G x 8 | 1R x 8 | -40°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 8GB Wide Temperature RDIMM |
M4R0-8GM1A5EM | 1G x 8 | 1R x 8 | -40°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 8GB Wide Temperature RDIMM |
M4R0-AGS1B5EM | 1G x 8 | 2R x 8 | -40°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 16GB Wide Temperature RDIMM |
M4R0-AGM1B5EM | 1G x 8 | 2R x 8 | -40°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 16GB Wide Temperature RDIMM |
M4R0-AGS2A5EM | 2G x 8 | 1R x 8 | -40°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 16GB Wide Temperature RDIMM |
M4R0-BGS2B5EM | 2G x 8 | 2R x 8 | -40°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 32GB Wide Temperature RDIMM |
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