DDR4
ECC 无缓冲内存
DDR4 ECC SODIMM
特点
- 小型双列直插式记忆体模组
- ECC DIMM 内建错误修正和侦测功能
- 通过全面测试，具最佳化稳定性和效能
- 采用原厂 IC，满足严格业界标准
- 对抗严苛环境的抗硫化保护机制
- JEDEC 标准 1.2V（1.26V ~ 1.14V）电压
- 工作环境温度：0°C ~ 95°C（Tc）
- 30μ” 金手指，符合 RoHS 标准，通过 CE / FCC 认证
DDR4 ECC SODIMM 提供业界最快的 3200MT/s 无缓冲记忆体速度，完全相容于 Intel® Purely 平台。此模组搭载 30μ” 金手指，内建单位元错误修正功能，专为网路及伺服器应用设计。模组提供 2GB、4GB、8GB、16GB 和 32GB 等容量，速度亦包含 2133MT/s、2400MT/s、2666MT/s 及 2933MT/s 等选项。
错误更正码（ECC）功能，可侦测及修正资料储存及传输过程中个别位元的错误。ECC 模组采用汉明码或三重模组冗余，以进行错误侦测及修正，可自行管理纠错，无须要求资料源重新发送原始资料。
采用抗硫化防护镀层的模块保护技术
硫元素在许多行业中普遍存在。当 DRAM 芯片中的银合金接触到含硫气体时，会引发腐蚀反应。这种硫化作用会导致导电性下降，并可能快速引发产品失效。为解决此问题，宜鼎在易损部件表面增设防护镀层，以保护银合金免受硫化腐蚀。
通过第三方测试证明可靠性
确保元器件的耐用性和可靠性是应对严苛环境需求的关键。我们的解决方案通过第三方严格测试，遵循严苛行业标准。这些测试验证了产品在极端条件下的稳固性，确保产品在各种应用场景下均具备可靠的性能表现。
| 弯曲测试 | 挠度1.2 毫米，EIAJ-4702 标准 |
| DRAM 模块插拔测试 | 100 次循环 , EIA-364-9 标准 |
| 包装跌落测试 | 跌落高度 76 厘米，ISTA-1A 标准 |
| 温度冲击测试 | -40℃~110℃，500次循环 |
| 军用标准振动测试 | 振动频率 10 Hz ~ 500 Hz MIL-STD-810G 514.7 |
| 抗硫化测试 | 480 小时, ASTM B809-95 |
为您的需求量身定制
侧填技术（Side Fill）
在震动环境中，侧填技术通过强化芯片与基板间的连接，确保模块在极端机械应力下仍能稳定运行，无惧外界威胁。
三防涂层
在 DRAM 内存 PCB 表面涂覆丙烯酸保护层，有效抵御湿气、灰尘及腐蚀性物质等有害因素。
探索多元应用场景与成功实例
Next-Gen Networking: How DRAM Memory Empowers Data Center Switches Amid the Data Explosion
This shift has made edge computing and cloud computing two parallel and complementary architectures, working together to support the demands of modern digital infrastructure.
边缘服务器
专为边缘计算设计，我们的产品确保在严苛环境中的稳定性能，支持边缘设备的实时数据处理。
数据中心
作为现代计算的支柱，我们的解决方案为数据密集型运行提供高性能和高可靠性保障。
通信
我们的解决方案确保可靠且不间断的性能，支持高负载下的组网与关键通信基础设施。
规格表
| Model Name | DDR4 ECC SODIMM |
|---|---|
| DDR Generation | DDR4 Memory |
| DIMM Type | ECC SODIMM |
| Speed | 2133 MT/s, 2400 MT/s, 2666 MT/s, 2933 MT/s, 3200 MT/s |
| Density | 2GB, 4GB, 8GB, 16GB, 32GB |
| Function | ECC Unbuffered Memory |
| Pin Number | 260pin |
| Bus Width | x72 |
| Voltage | 1.2V |
| PCB Height | 1.18 Inches |
| Operating Temperature | 0°C ~ 95°C (Tc) |
| 30μ” Gold Finger | Y |
| Anti-Sulfuration | Y |
产品料号
型号 | IC 配置 | Rank | 温度 | 简介 |
M4D0-2GSVPCEM | 256M x 16 | 1R x 16 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 2GB ECC SODIMM |
M4D0-4GSXPCEM | 512M x 16 | 1R x 16 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 4GB ECC SODIMM |
M4D0-4GSSPCEM | 512M x 8 | 1R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 4GB ECC SODIMM |
M4D0-8GSYPCEM | 1G x 16 | 1R x 16 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 8GB ECC SODIMM |
M4D0-8GSSQCEM | 512M x 8 | 2R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 8GB ECC SODIMM |
M4D0-8GS1PCEM | 1G x 8 | 1R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 8GB ECC SODIMM |
M4D0-8GM1PCEM | 1G x 8 | 1R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 8GB ECC SODIMM |
M4D0-AGS1QCEM | 1G x 8 | 2R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 16GB ECC SODIMM |
M4D0-AGM1QCEM | 1G x 8 | 2R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 16GB ECC SODIMM |
M4D0-AGS2PCEM | 2G x 8 | 1R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 16GB ECC SODIMM |
M4D0-AGM2PCEM | 2G x 8 | 1R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 16GB ECC SODIMM |
M4D0-BGS2QCEM | 2G x 8 | 2R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 32GB ECC SODIMM |
M4D0-BGM2QCEM | 2G x 8 | 2R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 32GB ECC SODIMM |
*Please contact Innodisk for products with other speeds.
